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Figure 1. (a) Calculated electrochemical stability windows of Li3N, Li2O, LiF, LiAlO2, Li3PO4, and LiAlF4. The windows of the first five candidates have been reported
(b) Selection criteria (chemical stability, electrochemical stability, and Li ion conductivity) of a few interfacial materials. |
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Figure 2. (a−c) Thickness characterization of LiF, AlF3, and LiAlF4 films with different ALD cycle numbers. (d−f) Top-view SEM images of ALD LiF, AlF3, and LiAlF4 films on silicon wafers. Inset images are side-view images (view angle of 90°) of ALD LiF, AlF3, and LiAlF4 films on silicon wafers.
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Figure 3. XPS characterizations.
(a) XPS characterizations of ALD grown LiF, AlF3, and LiAlF4 films. (b) Depth profile of LiAlF4 film prepared by ALD. (c−e) Fine XPS scans of Li 1s peaks, Al 2p peaks, and F 1s peaks of LiF, AlF3, and LiAlF4 films.
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Figure 4. (a) EIS characterizations of LiAlF4 films with different thicknesses at room temperature, inset shows the EIS characterization setup. (b) Enlarged EIS spectra shown in (a), inset shows the equivalent circuit. (c) EIS characterizations at different temperatures. (d) Conductivity vs temperature plot of LiAlF4 film and reported lithium ion conductivities of evaporated LiF and AlF3 films,30 ALD deposited LiAlO2,39,40 and ALD deposited LiPON29 films.
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Figure 5. (a) Rate performance of pristine, 20c ALD LiAlF4 coated, 20c ALD LiF coated, and 20c ALD AlF3 coated NMC-811 electrodes at room temperature with an electrochemical window of 2.75−4.50 V vs Li+/Li.
(b, c) Voltage vs capacity plots of pristine, 20c ALD LiAlF4 coated, 20c ALD LiF coated, and 20c ALD AlF3 coated NMC-811 electrodes at 5th and 35th cycles, respectively.
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Figure 6. (a) Cycle performance of pristine and 20c ALD LiAlF4 coated NMC-811 electrodes at room temperature with an electrochemical window of 2.75−4.50 V vs Li+/Li.
(b, c) EIS characterizations of pristine and 20c ALD LiAlF4 coated NMC-811 electrodes after 1st, 10th, 25th, and 50th cycles.
(d) Voltage vs capacity plots of pristine and 20c ALD LiAlF4 coated NMC-811 electrodes at 2nd and 50th cycles.
(e) Cycle performance of pristine and 20c ALD LiAlF4 coated NMC-811 electrodes at elevated temperature (50 °C) with an electrochemical window of 2.75−4.50 V vs Li+/Li.
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Title : Atomic Layer Deposition of Stable LiAlF4 Lithium Ion Conductive Interfacial Layer for Stable Cathode Cycling
( 출처 : ACS Nano, 2017, 11 (7), 7019–7027 )
본 논문에서는 Ni-rich 층상계 LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2(NMC-811) 양극에 효과적이고 안정한 코팅 막을 형성하여 고전압에서의 안정성을 개선하고자 하였다. LiAlF4는 코팅막이 필요로 하는 전기화학적 불활성, 화학적 안정성, 리튬이온전도도, 균일성과 같은 요건들을 동시에 충족시킬 수 있다고 판단되어 선정 되었으며, atomic layer deposition (ALD)법을 사용하여 균일하게 LiAlF4을 코팅하였다. 그 결과, pristine(NMC-811) 대비 고전압 안정성이 크게 향상됨을 보여주었다.
기존 데이터베이스 및 계산을 통해 코팅 물질로서 리튬을 포함하는 화합물들의 특성을 비교한 결과, LiAlF4는 전기화학안정창이 2.0 ± 0.9 ~ 5.7 ± 0.7 V (vs Li+/Li)으로 NMC작동 전압보다 넓어 충분히 전기화학적으로 안정적이며, 불소화합물로써 화학적으로도 높은 안정성을 가진다. 또한, LiF 대비 향상된 리튬이온전도성을 나타냈다.
Materials Synthesis and Preparation : LiF 증착은 Savannah S100 ALD system (Ultratech/Cambridge Nanotech)을 사용, lithium tert-butoxide와 TiF4의 pulse와 purge를 교대하는 과정을 거쳤고, 약 200~300℃에서 LiF 박막을 얻었다. AlF3 ALD 증착은 AlCl3와 TiF4의 pulse와 purge로 이루어지며, 250℃에서 AlF3박막을 얻었다. LiAlF4 ALD 증착은 LiF와 AlF3 방법을 1:1 비율로 번갈아 반복하는 과정을 수행하였고, 250℃에서 비결정성의 LiAlF4 박막을 얻을 수 있었다. 기존 LiAlF4의 합성은 그 복잡성으로 인해 물리적 증발방법 만이 보고되었으나, ALD 방법을 이용하여 높은 표면적의 전극에 직접적으로 균일한 코팅을 가능하게 하였다.
LiF, AlF3, LiAlF4 모두 코팅두께는 ALD 사이클 횟수에 따라 선형적으로 증가하였다. XPS 분석 결과는 LiAlF4가 LiF와 AlF3의 물리적인 혼합물이 아닌 하나의 화합물로서 존재하며, 불순물이 매우 낮고 필름 전체에 걸쳐 균일한 원자 비율을 가진 다는 것을 보여주었다. EIS 분석을 통해 리튬이온 전도도를 비교 한 결과, 기존 보고된 LiF, AlF3보다 약 4배정도 높은 값을 가졌다.
2.75 – 4.50 V (vs Li+/Li) 전압범위에서 NMC-811(pristine)은 낮은 전류밀도 임에도 불구하고 초기 10cycle내에 용량이 일부 저하된 반면, 코팅 물질은 초기용량차이는 있으나 안정성이 향상되었다. 고율 평가 결과, LiF는 낮은 전도성, AlF3는 LixAly Alloy형성의 가능성으로 인해 성능이 저하되었지만, LiAlF4-coated 샘플은 pristine과 유사한 성능을 보였다.
고전압 상온 수명 평가 결과, pristine은 113cycle 이후 용량이 29% 감소하여 140mAh/g 아래로 하락하였으나, LiAlF4-coated 샘플은 300cycle까지 24%의 용량감소율을 보이며 140mAh/g 보다 높은 용량을 유지하였다. 50℃ 고온 수명 평가 결과에서도 LiAlF4-coated 샘플이 pristine에 비해 우수한 수명 안정성을 나타냈다. 이러한 안정성 향상은 코팅막이 Ni-rich 물질에서 일어날 수 있는 전극/전해질 사이 계면에서의 부반응을 막아주었기 때문으로 예상 하고 있으며, 이는 향상된 쿨롱효율 (상온 : 99.3 → 99.8%, 고온 : 97.4 → 99.7%) 및 임피던스 전하전달저항 증가의 억제로 설명 될 수 있다.
결과적으로, ALD 방법을 사용한 LiAlF4은 양극 표면에 넓은 전기화학안정창을 가지는 안정한 계면 층을 형성하여 기존 NMC-811의 Rate성능을 유지하면서 매우 향상된 고전압(2.75 – 4.50 V (vs Li+/Li)) 안정성을 나타냈다고 보고하고 있다. |