Fig. 1. Transmission electron microscopy imaging for delithiated Si cycled under different cycling protocols. a TEM image of poly-crystalline Si with diffraction pattern at the top-right inset. b Schematics of the depth of discharge (DOD) control in the 1st cycle and corresponding lithium-silicide phase distribution at the end of each DOD. (c) Capacity–.voltage profiles of poly-crystalline silicon for each DOD in the 1st cycle. (d) dQ/dV profiles for the corresponding capacity–.voltage profiles in (c)(i, j) Scanning transmission electron microscopy-high angle angular dark field (STEM-HAADF) image for delithiated poly-crystalline Si under DOD80% and 100%, respectively (k, l) STEM-HAADF image for delithiated single-crystalline Si at the 1st and 4th cycle, respectively
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Fig. 2. STEM-HAADF tomographic imaging of delithiated single amorphous-Si particle. a–.c Sliced STEM-HAADF tomographic images by the XY plane for fully delithiated single amorphous-Si particle through the crystalline‒.amorphous lithium–.silicide phase transformation. In the top part of each figure, X-Y-Z axes are
indicated in 3-dimantionally reconstructed cubic-segment by green, red, and blue, respectively. In the lower part of each figure, topographically sliced single amorphous-Si particle after full delithiation is shown: brighter parts (orange) show Si, while the darker parts (black) highlight pores. d–.f Identical particle sliced in the direction of the XZ plane. All the scale bars in the image show 40 nm. |
Fig. 3. Schematics of our redesigned cell and conventional one combined with schematics of corresponding SiNP structural evolution over cycles. Capacity balance between anode and cathode in (top) this work and (bottom) conventional cells. A negative/positive (NP) capacity loading ratio in full cells for our work and the conventional is controlled to be 1.38 and 1.05, respectively, the former being prelithiated up to 40%. Over cycling, Li–.Si processes in our cell design undergo between a-Si/a-LixSi and c-Li3.75Si owing to controls over NP, prelithiation, and Si crystallinity while in the conventional cell they are dominated by reactions between a-Si and a-LixSi. As shown in schematics in the middle, repeating c-Li3.75(+δ)Si formation/decomposition in our full cell can trigger the pseudo-topological framework
formation and more efficiently deplete the accumulative irreversibility, which is studies electrochemically in more details in our previous study |
Fig. 4. Full cell electrochemical performances in our redesigned and conventional cells. a Capacity retention rate over cycle number for cells with our design (green) and conventional design (orange). b Coulombic efficiency over cycle number for cells with our design (green) and conventional design (orange).
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Title : Spontaneous pseudo-topological silicon quantization for redesigned Si-based Li-ion batteries - 삼성 종합 기술원에서 사이클 중에 나타는 나노 실리콘 입자의 위상 변화를 연구하고 이를 정량화한 결과에 대하여 발표하였다. - 본 연구에서는 나노 실리콘 입자에 사이클 중에 나타는 다공성 구조 변화에 대하여 연구하고 이를 나노 실리콘 음극의 사이클 중의 낮은 쿨롱 효율 특징과 관련지어 낮을 쿨롱 효율을 개선 할 수 있는 나노 실리콘 음극에 대하여 새롭게 디자인한 결과에 대하여 발표 하였다. - 충방전 과정에서 큰 부피 변화에 의해 실리콘 입자가 분쇄되는 문제를 막기 위해 나노 크기의 실리콘 입자를 사용하는 방법의 연구가 많이 진행 되었다. 하지만, 아직까지 나노 실리콘 음극의 낮은 쿨롱 효율에 의해 나타나는 수명 저하 문제를 해결하지 못하였다. - 충방전 전후의 나노 실리콘 음극을 분석한 결과 Figure 1j.와 같이 나노 실리콘이 충방전 전후로 다공성의 구조로 변화 하였고 이것은 Figure 1i와 같이 단일 나노 입자에서도 발견되었다. - 이와 같은 결과를 STEM-HAADF를 이용하여 측정한 결과 입자 전체적으로 나타나며, <2nm의 균일한 구조를 이루면서 40~50%의 공극율을 가진 구조임을 확인 하였다. 이러한 결과는 충방전 과정에서 c-Li3.75Si/a-Li~1.1Si 의 구조 변화에서 나타는 큰 부피 변화에 의해 가해지는 응력, 이러한 구조 변화시에 나타는 Li의 확산계수 변화 등에 의해 공극구조가 나타날 것으로 예상 하였다. - 이전에 발표된 결과로 이러한 공극 구조에서 c-Li3.75Si/a-Li~1.1Si 극단적 구조 변화가 줄어들어 들면서 순차적인 반응 등으로 인해 부반응이 적어지며 쿨롱 효율이 증가한다는 결과를 이용하여 Figure 3.과 같이 Prelithiaton등을 이용하여 새롭게 실리콘 음극을 디자인 하였다. - 그 결과 Figure 4.와 같이 기존에 사용되는 나노 실리콘 음극에 비하여 우수한 수명 특성을 보이는 나노 실리콘 음극은 설계가 가능 하였다. [Nano Energy 56 (2019) 875–.883] |